基于硅纳米晶薄膜/晶体硅异质结太阳电池的制备及其性能研究
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技术详细介绍
采用磁控溅射法制备了掺杂型硅纳米晶薄膜,最低电阻率低于0.01 ohm.cm;采用计算的方式表明,未经任何优化的硅纳米晶薄膜/晶体硅的异质结电池器件的理论效率可以达到18.5%,开路电压达到641 mV;原型器件的开路电压约为400 mV,要求对异质结表面进行良好的钝化才能提高电池性能;制备了掺铝氧化锌/晶体硅异质结电池其短路电流约为29 mA/cm2 、Voc为254 mV,填充因子约45%;通过第一性原理计算指出表面氧化有助于降低硅量子点的表面复合;研究了电注入SiOx/SiNx叠层薄膜对其表面电荷密度的影响。发表论文2篇,申请发明专利3项。